CMOS與PMT檢測器在火花OES分析中的應用比較

商用火花直讀光譜儀（OES）儀器的性能和成本取決于很多因素，但其中很大一部分是儀器內的檢測器技術。

互補金屬氧化物半導體（CMOS）檢測器專為**一代OES光譜儀開發，取代光電倍增管（PMT）（一種仍為工業用途制造的真空技術）和基于半導體的電荷耦合器件（CCD）。

這就是像我們這樣的制造商選擇CMOS檢測器來確保靈活性的原因，由此可確保我們的客戶始終配備**軟件。

用于光檢測的CMOS芯片

CMOS是一種在集成電路中廣泛使用的半導體拓撲技術。相比于最初的雙極晶體管技術，CMOS的主要優勢是高速和幾乎為零的靜態功耗，因此可將更多器件塞進小空間中，而不會出現過熱現象。這就是為什么如今的微處理器、RAM和ASIC（僅舉幾例）由基于CMOS的器件主導。

在光檢測中使用CMOS技術時，這些器件的工作方式與CCD非常相似。目前有一個可將多種波長的入射光轉換為電信號的光敏像素陣列。

CMOS并非新技術，但這項技術近期得到發展，使之在光學應用中更**、更少噪聲。此外，由于CMOS生產非常普遍，因此與專業CCD制造相比，其相對便宜，這就是為什么相機制造商開始選擇CMOS（而非CCD）來制作數碼單反相機的圖像捕捉部分。

CMOS芯片在多路復用讀出電子設備中的運轉速度也很快。因此，可將CMOS芯片用于重視速度的領域（例如，分析任務）。

日立OE系列

日立的OES儀器使用CCD（電荷耦合器件），但日立**推出的OE系列除外，該系列使用CMOS檢測器。這兩種類型的檢測器均基于半導體，可通過定制來覆蓋光學系統內的整個光譜。

OE系列將基于CMOS檢測器的范圍、靈敏度與全新光學設計相結合，提供通常只有成本更高的儀器才能達到的高性能。OE系列的運行成本較低且占用空間相對較小，可檢測金屬中的所有元素（包括氣體元素）。

   日立光譜儀系列